简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ...

简介：Thesilicon-on-insulator(SOI)1×2Y-junctionopticalwaveguideswitchhasbeenproposedandfabricated,whichisbasedonthelargecross-sectionsingle-moderibwaveguidecondition,thewaveguide-vanishingeffectandthefree-carrierplasmadispersioneffect.Intheswitch,theSOItechniqueutilizersiliconandsilicondioxidethermalbondingandback-polishing.Theinsertionlossandextinctionratioofthedevicearemeasuredtobelessthan4.78dBand20.8dBrespectivelyatawavelengthof1.3μmandaninjectioncurrentof45mA.Responsetimeisabout160ns.

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：＊高精密度，灵活性强－0201（0．6mm×0．3mm）-SOIC，PLCC

简介：UltraWideBand(UWB)transmissionsareattractiveforlowpower,basebandasynchronousmultipleaccessandpeer-to-peerwirelesscommunications.MultipleInputMultipleOutput(MIMO)technologyisusefulincombatingagainstmultipathandatthesametimeimprovessystemperformancebyusingmultielementantennasatbothtransmitterandreceiver.ThisletterproposesatimehoppingM-aryUWBsystemsusingV-BLASTalgorithm,andpowercontrolisconsideredforbetterperformance.Simulationsareprovidedtocompareperformancewithdifferentantennas.

简介：基于陷阱的p-i-n的I-V特征紫外察觉者被介绍。它在不同温度被测量并且与变化分析了温度。设备的想象力因素在房间温度是2.09。最大的想象力因素在100点是2.14，它超过100衰退，并且最小的想象力因素在300点是1.26。前面的电压对温度的系数是有1个妈的前面的电流的-1.97mV/。基于两倍注射模型，在i区的深躺杂质激活精力是0.1343eV。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：AnexperimentalwayforthethermalcharacterizationofsemiconductorlasersbasedonI-Vmethodunderpulsedrivingconditionshasbeendeveloped,withwhichthethermalcharacteristicsofstraincompensated1.3μmInAsP/InGaAsPridgewaveguideMQWlaserchipshavebeeninvestigated.Theresultsshowthat,bymeasuringandanalyzingtheI-Vcharacteristicsunderappropriatepulsedrivingconditionsatdifferentheatsinktemperatures,thethermalresistanceofthelaserdiodescouldbeeasilydeduced.Thedrivingcurrentandjunctionvoltagewaveformsofthelaserchipsunderdifferentpulsedrivingconditionsarealsodiscussed.

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：随着电子制造技术的不断发展，电子元器件的体积正变得越来越小，同时在整个供应链中有效管理并保护湿敏器件，对于电子制造商来说也正变得越来越重要。而管理和保护湿敏器件的目的就是为了避免从表面贴装的起始阶段就使用受到潮湿损坏的器件。

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。