简介:JQX-72F继电器具有体积小、耐压高、切换能力强、安装方便、塑封型封装型式等特点。介绍该产品的原理、结构、技术性能参数。
简介:<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。
简介:针对继电接触控制的大功率AC稳压器电磁干扰大,电压调整波形畸变,而且电路结构复杂,本文利用新型过零触发器件组成的大功率交流稳压器,很好地解决了上述问题。
简介:应用一种双正激软关断电路,实现了某车载电源系统的24V/12A电源,给出了该电源的主功率变压器和谐振电容、谐振电感的设计,并给出了实际测量波形。
简介:<正>TriQuintSemiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底AlGaN/GaNHEMT。这种器件10GHz下的连续波输出功率密度达到7W/mm。此结果表明,GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率MMIC甚至更高的频率。
简介:
简介:<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz~1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出
简介:随着台达变频器功率的不断扩大,以及产业机械行业OEM客户配套市场的成熟,台达开始推出大功率的变频器,意在推动台达产品在工程项目中的使用。2006年初,台达正式推出风机水泵型F系列132kW~220kW的大功率变频器。
简介:GOLDMUND的新产品Telos400单声道功率放大器的价格定位处于同门的Mimesis18.4和Telos600放大器之间,其电路结构与Telos600相同,但外观却如长胖了的Mimesis18.4,可以说Telos400是两者的组合。
简介:微芯科技(MicrochipTechnology)公司推出SPI串行EEPROM系列25AA256和25LC256。新器件带有一对256Kb器件,速率可达10MHz。其中25AA256的工作电压范围在1.8V至5.5V之间,25LC256的工作电压范围在2.2V至5.5V之间,提供一40℃至85℃和-40℃至125℃的温度范围,基于SPI的器件可优化和便于连接微处理器。
简介:磁浮列车是人类梦寐以求的陆上交通运输工具,分为常导型和超导型二大类。叙述在常导磁浮列车悬浮控制系统中用复杂可编程逻辑器件(CPLD)实现其部分接触器的控制及相关的信号处理的功能。实践证明,CPLD的使用简化了电路设计,降低了成本,增加了电路的可靠性。
简介:纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.
简介:在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。
简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:1前言在电力电子技术和应用装置向高频化发展时,系统中特别是连接线的寄生参数越来越成为产生巨大电应力,威胁电力电子装置可靠性的重要因素。运行经验表明,采用GTR器件,开关频率在2kHz左右时,变频装置的总寄生电感不应超过60nH,而采用IGBT器件,开关频率达到16kHz以上时,要求其总寄生电感小于30nH。直的圆导线的寄生电感
简介:1、3G中的CDMA技术3G的三大技术体系标准分别是UMTS的WCDMA、IM亿000的CDMA2000和我国拥有自主知识产权的TD—SCDMA。WCD.MA又称为宽带CDMA(带宽为5MHz或更高),CDNA2000是在IS95(带宽为1.23MHz的2GCDMA)基础上直接演进而来,TD—SCDMA又称为时分同步CDMA,这里的同步指的是所有终端用户上行链路的信号在到达基站接收端的解调器时完全同步。总之,3G的三大标准均以CDMA为基础技术。
JQX-72F小型大功率电磁继电器
230W大功率GaN高频晶体管
大功率过零触发补偿交流稳压器
双正激软关断功率变换器的实现
TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录的功率水平
采用功率指示负载的电压驻波比表
Bryston 4B-SST功率放大器
NPN共基极C类脉冲功率晶体管
台达大功率变频器亮剑天山
GOLDMUND Telos 400单声道功率放大器
微芯科技推出带有一对256Kb器件的串行EEPROM系列
复杂可编程逻辑器件在磁浮列车控制系统中的应用
纳米光电子器件的最新进展及发展趋势
Parker Vision推出硅基数字功率放大器
第二代功率因素校正解决方案
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小优值FoM
Jeff Rowland(乐林)Model 201功率放大器
ACCUPHASE(金嗓子)P7000功率放大器
迭层功率母线及其在电力电子装置中的应用
CDMA技术与3G系统中的功率控制问题