简介：韩国手机在国内的销售厂家中，大家所熟知的多为LG和三星等。在国内的水货市场上却有着以东方龙为首的众多品牌，并且维修手机的朋友对于东方龙手机的维修成功率不是很高。因为东方龙手机在没有维修资料的情况下故障维修依然处于摸索阶段，虽然有时也能修好几台，但是具体是怎样修好的，相信它们自己也不是很清楚。

简介：<正>Aethercomm公司推出其最新高功率宽带RF放大器,其工作频率为600～3000MHz。这种固态功放适用于宽带军事平台,整个频带的饱和输出功率典型值为10.0W,典型增益34

简介：

简介：介绍了pspice中功率场效应管模型的建立方法,并仿真测试了它的一些特性。

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：功率器件的质量对节能灯的寿命起关键作用，从理论分析入手，对其失效机理进行分析。

简介：

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。

简介：引言微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的,微电子技术已经成为整个信息产业的基础和核心。自1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本,集成电路的特征尺寸不

简介：一、介绍设计工程师所面临的挑战是在更短的时间内,使用更少的资源设计出性能不断提高的通信系统。另外,还必须关注日新月异的新技术。当前,各种应用的性能要求迥然不同,这就需要一种灵活同时又易于实现的解决方案。一种方法就是使用可编程逻辑器件(PLD),它集灵活性、高性能和对市场的快速反应于一体。设计工程师现在更多地将PLD用于数字信号处理(DSP)的各种应用当中。在大量的产品中都可以

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

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简介：卫三民博士是代表他的导师吴斌教授在大会上做报告的。他报告的内容是对目前Mw级的变频调速技术进行综合分析。

简介：澳大利亚的HALCRO公司以生产失真接近于零的dm系列功率放大器而闻名。最新推出的dm88功率放大器是其以前功率放大器的后继机种，从外观上看，dm88沿用了din68的塔式设计，且变化不大；但从内里来看，dm88的元器件布局及选料都不同于dm68，几乎是完全重新设计开发的。

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

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简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：中大功率中压变频调速技术发展很快，而且市场潜力很大。每年以12—20％速度增长，2003年大中功率中压变频器增长高达40％，总值达50亿元，总容量达600多万kW，其功率分布情况为500-5000kW。

简介：为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时，具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持，而这些数据常常涉及知识产权，因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。