简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：高功率微波空间功率合成效率直接关系到高功率雷达输出功率的大小，重点研究高功率雷达空间功率合成效率问题。首先推导出高功率微波空间合成效率公式；然后分析了影响合成效率的相位误差、目标位置误差、时延误差和阵元间距误差等因素；最后提出一种幅度一相位联合调整的方法，通过增加幅度调整电路和相位调整电路，减小通道的幅相误差，提高空间功率合成效率。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：华为近日在伦敦TNMO论坛（TransportNetworksforMobileOperatorsforum）上发布了一款针对城域网的新型光子集成器件（photonicintegrateddevice，PID）。华为这一新的PID方案采用了先进的调制格式和数字信号处理（DSP）技术，能够提供具备成本效益的大容量光纤传输，支持40G、100G、400G及更高传输速率。结合色散管理技术，

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：随着塑封器件在武器系统中的使用越来越广泛，塑封器件在使用中也暴露出了一些问题，如塑封器件易打磨、翻新，内部易进入水汽产生爆米花效应或内部界面分层等。作者总结近几年塑封器件DPA试验中出现的各种失效，重点对塑封器件内部界面分层以及分层产生的原因、危害进行了论述。同时，论述了声学扫描显微镜检查对内部界面分层的辨别、原理及其相关试验标准等，提出了塑封器件在型号产品中的使用建议。

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：大功率LED灯有很多优点，而LED驱动电路对LED非常重要，LED驱动和调光是目前研究的热点。针对目前LED驱动电路的不足，设计了一种新颖的LED驱动电路，该电路以单端反激式开关电源为控制的第一级，压控制恒流源为第二级，可同时保证控制精度和效率。实验结果表明该电路效率高、功率大，同时电路还能自适应调光，更加节能可靠。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：由工业应用学会（IA）、功率电子学会（PEL）主办的2013应用功率电子学会议（APEC）已于今年3月17日至21日在美国加利福尼亚州的长滩市会展中心召开，会议有世界级的专家作精彩的技术报告、宽范围的电力电子技术前沿论文。

简介：大多数现代电子设备使用了开关式电源，它们会产生不希望出现的电流谐波，这些谐波对供电品质和与该电源系统连接的其他设备造成了不良影响。文章介绍了有源功率因数校正的工作原理，提出了基于L6563芯片的一种高功率因数校正电路方案。试验结果表明，该Boost功率因数校正电路设计合理，性能可靠，功率因数可达0．99，可有效改善电源品质。

简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。

简介：在传统微带线Wilkinson型功分器难以实现大分配比的情况下，通过引入改善因子c的方法降低过大的特性阻抗，并通过T型结构代替特性阻抗过小的四分之一波长传输线，使最终的电路结构用传统的平面微带线结构易于实现。应用这些设计方法计算出功分比为5：1的不等功分器的各段阻抗最大和最小之比仅为2．7：1，较传统结构得出的比值5．5：1有了很大改善。最后，利用ADS软件设计出一个中心频率为1.3GHz的微带5：1不等分功分器，仿真结果证明了这种设计方法的有效性和可行性。

简介：本文对由超线性行波管功放组成的大功率上行系统的组成及各部分作用进行了介绍,对系统的工作原理和优点进行了分析,同时也对行波管的工作原理进行了详细的介绍。

简介：2013年7月10日消息，AllProgrammableFPGA、SoC和3DIC的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx．Inc．（NASDAQ：XLNX））今天宣布，延续28nm工艺一系列行业创新，在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片、半导体行业首款20nm器件，也足可编程逻辑器件（PLD）行业首款20nmAllProgrammable器件；发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale^TM。