简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

简介：据报道，信产部电信研究院日前在公布2004通信业关键词时指出，2006年将成为移动电话用户发展的一个拐点，在此之后，移动电话用户增长放缓。

简介：为解决空间飞行器绕飞中控制系统的仿真问题，提出了一种基于RTX实时操作系统的半实物仿真平台，通过1553B和VMIC进行各设备的信息交互，使“虚拟环境”与“真实环境”有效地结合，实现了在机械、电气、控制与软件等多学科交互作用下控制系统特性的仿真与验证。该仿真平台在部分实物短缺情况下，可采用仿真机对这些实物进行功能和电气接口的模拟，提前进行控制系统半实物仿真试验，具有良好的可扩展性，仿真验证的可信度和重复使用率，为在轨服务装备和反卫星作战武器控制系统的仿真提供了一套非常实用的半实物仿真平台，并以美国轨道快车的试验条件为输入信息，进行了实际控制系统的仿真验证。

简介：美国国家半导体（简称“国半”）宣布推出九款采用专有的VIP50BiCMOS工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善，符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求，而且体积也极为小巧，适用于各种使携式电子产品。

简介：98年底行动电话普及率可望达20％，预测99年普及率应可遮35％。即99年底行动电话使用人口会达到700万人以上，七家公、民营业者落足劲争取这300万新用户。

简介：随着高频通信技术的不断发展和进步,陶瓷填充类高频印制板的需求越来越多,它们提供了出色的电气和机械稳定性,被广泛应用于商业微波和射频应用。此类陶瓷填充板虽然具有极低及稳定的介电常数和介质损耗因数,但因其材料结合力不到普通材料的一半且很脆,使其在设计连接位较小又有半孔设计时,比FR-4材料在机械加工时更易断板和产生毛刺。从工艺流程上进行优化设计及控制,对此类板件制作的关键点控制进行了研究。通过改进和优化,找出了有效解决此类半孔设计板的断板和半金属化孔毛刺问题的方法。

简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。