简介：按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。

简介：为进一步推动我市“阳光·绿色网络工程”主题系列活动的深入开展．贯彻落实科学发展观，努力建设学习型社会、创新型城市，大力宣传网络信息安全的重要性，提高网络信息安全意识，让我市各基础运营企业、各ISP、ICP、各大专院校等单位更好地了解和掌握目前互联网发展形势和动态，促进我市互联网健康发展，在重庆市委宣传部的大力支持下，重庆管局依托“三峡大讲坛”这个重庆市统一的文化品牌，充分发挥“三峡大讲坛”是“传播先进文化、倡导科学精神、培育综合素质、提升重庆形象”的宣传思想工作主阵地和重要平台的优势，

简介：近日，管局组织召开了全市通信行业精神文明建设和行风建设指导小组会议。会议总结了2006年“评优帮差”工作。审定了2006年“全国用户满意电信服务明星个人、班组及企业”候选推荐上报名单及“重庆市用户满意电信服务明星个人、班组及企业”候选推荐名单。会上，我市通信行业精神文明建设和行风建设指导小组成员对“评优帮差”工作给予了充分的肯定，并提出了建议和要求。一致认为，今年我市“评优帮差”工作主要有两个特色：一是坚持三个结合。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：2月23日至3月2日，重庆市通信管理局苏少林局长、邢海英副局长分别带队深入区县电信市场，就当前电信改革、发展和监管工作中的热点难点问题开展了调查研究。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：2月7日，重庆市通信管理局与重庆市信息产业局2004年首次季度联席会在信息产业局召开，两局副处以上领导参加了联席会，来渝调研工作的信产部电信研究院政策研究所所长陈金桥出席会议。会议在友好、愉快的氛围中举行。

简介：根据全党保持先进性教育活动的总体安排，重庆市通信管理局紧密联系通信监管工作实际，通过精心组织开展“四看”、“五课”等先进性教育主题活动，目前已经基本完成了第一阶段学习培训的主要任务，为第二阶段集中开展分析评议打下了坚实的基础。同时，通过边学、边查、边改，落实六项加强通信监管方面的措施，将先进性教育活动落实到涉及广大通信用户切身利益的工作之中，在使党员受教育的同时，也让全市1500万通信用户得到了利益。

简介：我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：根据保持共产党员先进性教育活动实施方案的安排．重庆市通信管理局4名党组成员采取作形势报告、专题讲座和谈心得体会等形式，结合通信监管实际．分别向全局广大党员干部上了4堂党课．起到了很好的带头示范作用，促进了全局先进性教育活动的顺利推进。

简介：日本千叶大学工程系中村雅一副教授和工藤一浩教授与日本化学技术战略推进机构共同组成的联合研究小组日前在2mm×2mm的区域中集成约2800万个有机晶体管元件，开发出驱动性能更高的芯片，并在3月22日～26日于东京武藏工业大学举办的日本“第53届应用物理学相关联合演讲会”上进行了发表。

简介：

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：根据中央和重庆市委的总体安排，重庆管局被列为第一批开展保持共产党员先进性教育活动的单位。半年来，重庆管局将先进性教育活动与通信监管工作有机结合，在坚持“务求实效”和把先进性教育办成“群众满意工程”方面狠下功夫，深入扎实地开展“保持共产党员先进性，争做六型通信监管人”的主题活动，做到了“规定动作”不走样，“自选动作”高质量，在提高党员素质,加强基层组织的同时，有力地促进了各项通信监管工作的开展，让广大老百姓在通信发展中得到了实惠。