简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出60V、1MHz、降压型DC／DC转换器LT3597．该器件设计成作为3通道、恒定电流LED驱动器工作。LT3597的每个通道都含有一个吸收恒定电流的LED驱动器和专用的自适应输出降压型转换器。这种设计为RGB显示器等应用提供了最高效率，在这类应用中，每个LED串需要不同的输出电压。在48V输入时．

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：台达日前宣布成为ChargingInterfaceInitiative（Charlne．V．）协会核心会员，运用台达在电源效率的领导地位与布局全球多年的电动车充电设备实力，持续促进与发展电动车快速充电规格。CharlNe．V．是在德国柏林成立的开放式协会，主要成员皆为全球电动车产业中最具影响力的企业，此协会主要负责支持与促进联合充电系统（CCS）成为全世界电动车充电的主要规格之一，透过现有与未来充电设备规格标准化，提升充电基础设施的便利性与成本效率，进而提高整体电动车使用者的效益。

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：什么是双用笔记本电脑？也许大家对这个概念还比较陌生，双用笔记本就是整合了平板电脑手写功能的笔记本电脑。双用笔记本的特点是外形同普通笔记本电脑很相似，有键盘、有鼠标板等等，而区别于普通笔记本的最大之处是双用笔记本的屏幕支持手写功能，通过随机附带的触笔，可以在屏幕上任意涂鸦，而且双用笔记本的屏幕是可以自由转动的。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：

简介：传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIPIPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200VCIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIPCIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。

简介：在目前大多数的后期制作公司里,还都没有满足于4K专业制作的监视器;即使有4K后期制作项目的公司,也多是采用2K分辨率的监视器,或者是采用4K投影机作为替代方案。除了4K监看的高成本外,更主要的是也鲜有能够满足4K视频制作的专业监视器存在,而投影机的视频监视分析功能显然是没有专业监视器更给力,

简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。