简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.
简介:水热条件下合成了一种新的锰-乙二胺[Mn(en)]修饰的夹心型锑钨酸盐配位化合物(enH2)3H2{[Mn(en)(H2O)]2(WO2)2(β-B-SbW9O(33))2}·3H2O.通过X-射线单晶衍射方法确定了其晶体结构,结构分析表明该化合物为单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.32268(18)nm,b=1.8345(2)nm,c=2.21755(19)nm,α=90°,β=126.617(5)°,γ=90°,V=4.318.8(8)nm3,Z=2.通过元素分析,红外光谱及紫外光谱等对其结构进行了表征.电化学循环伏安测试表明该化合物修饰的碳糊电极对H2O2具有显著的电催化还原活性.
简介:利用一步水热法合成了一种双配体修饰的Keggin结构铝钨酸盐超分子化合物,通过元素组成分析和TG分析,确定其化学式为[Cu(en)(bipy)(H2O)]2[AlW(12)O(40)]·H3O·H2O.单晶结构分析表明,标题化合物是单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.94558(11)nm,b=1.24412(7)nm,c=2.56827(15)nm,α=γ=90°,β=92.0010(10)°,V=62.128(6)nm3,Mr=3504.80,Z=4,F(000)=6204,R=0.0559,wR=0.105.在标题化合物中,每个[AlW(12)O(40)](5-)阴离子与[Cu(en)(bipy)-(H2O)](2+)单元通过超分子作用形成一维、二维和三维结构.该化合物表现出良好的电化学性质和对H2O2的电催化性质.固体紫外漫反射吸收光谱表明,化合物的光学带隙达到2.70eV,是一种半导体材料.在紫外光照射下,该化合物对罗明丹B(RhB)的降解率为96.29%.
简介:为了解决M/M/c模型在实际运用中模拟精度不高及使用范围有限的问题,本文立足系统状态变化与输入率和服务率的关系,通过引入输入概率和服务度,构建依赖系统状态的递进式输入率和服务率。递进式输入率和服务率通过研究系统实际运行状况设定临界值,其中输入率分为两阶段,服务率分为三阶段。此外,结合递进式输入率和服务率及排队论状态转移过程构建了递进式M/M/c模型,并采用后确定法确定模型参数。递进式M/M/c模型是M/M/c模型的扩展形式,提高了M/M/e模型的模拟精度,在一定程度上拓展了模型的应用范围。最后,通过一个生活实例验证了递进式M/M/c模型的优化性和实用性。
简介:使用[β-B-BiW9O(33)](9-)作为基本建筑单元,成功合成了多酸做配体的双核Ce(Ⅳ)配合物(Na6H(10){Ce(H2O)3(μ2-OH)[Bi2W(21)O(70)(OH)3]}2·40H2O),通过元素分析、X-射线单晶衍射、XRD、IR和TG表征技术确定了其组成和结构.两核Ce(Ⅳ)离子配合物是通过2个μ2-OH-连接构成的,每个Ce(Ⅳ)离子除了与2个μ2-OH-配位外,还与3个H2O以及[Bi2W(21)O(70)(OH)3](11-)中4个缺位O原子配位,形成三帽三棱柱.[Bi2W(21)O(70)(OH)3](11-)多酸阴离子是通过3个W(Ⅵ)连接形成新的多酸阴离子物种,在缺位结构上留有一个空位恰好与Ce(Ⅳ)离子配位.通过对配合物的电化学分析发现,与硝酸铈铵对比,配合物中Ce(Ⅳ/Ⅲ)的阳极峰电势由0.857减小至0.772V,表明多酸阴离子配体有稳定Ce(Ⅳ)的作用.