简介：利用解析和数值计算的方法计算了色散光学模型中色散积分的数值,并与Quesada等人的解析计算作了比较,结果显示两者结果基本一致。

简介：O436.32001031598偏振成像技术提高成像清晰度、成像距离的定量研究=Quantitativestudyofimprovementsofimagingcontrastandimagingrangebypolarizationtechnique[刊,中]/曹念文,刘文清,张玉钧(中科院安徽光机所.安徽,合肥(230031))∥物理学报.-2000,49

简介：O436.32000063792角锥棱镜的偏振效应=Polarizationpropertiesofretroreflectors[刊,中]/刘海宁,李真(天津大学精密仪器与光电子工程学院.天津(300072))//激光杂志.—2000,21(1).—15—16,25角锥棱镜应用于偏振光干涉仪时,其偏振性能将直接影响到信号质量,一般会引入偏振混迭或频率混迭,严重时激光被消偏,使仪器无法正常工作。利用Jones矢量和坐标变换方导出角锥棱镜的Jones矩阵,计算了线

简介：利用分光计得到了汞灯透过三棱镜后五种不同谱线的最小偏向角,计算出了它们的折射率,基于Cauchy,Hartmann,Conrady三种色散公式,拟合得到了三种不同色散公式的的色散系数和色散曲线。

简介：O436．32005031656Lyot型消偏器对不同类型光源的消偏性能影响=Per-formanceanalysisofLyotdepolarizerondifferentopticalsources[刊,中]／阴亚芳(中科院研究生院．北京(100039)),方强…∥半导体光电．-2004,25(6).-448-450,453应用Mueller矩阵分析Lyot型消偏器对不同类型光源的消偏性能,通过对矩形光源、洛伦兹光源及高斯型光源的消偏性能与消偏器参数的关系进行数值计算,得出了影响Lyot型消偏器的关键因素是晶体厚度和两晶体主轴间的夹角。晶体厚度与晶体双折射率乘积大于相干长度,

简介：O436．32005064047石英晶体右旋光与左旋光折射率差的温度特性=Temper-aturepropertyontherefractiveindexdifferenceofleftro-tationandrightrotationlightofquartzcrystal[刊,中]/苏富芳(曲阜师范大学激光研究所．山东,曲阜(273165)),吴福全∥光学技术．-2005,31(4)．-540-541,544

简介：本文介绍了如何利用折射率的洛伦茨色散关系拟合氢原子光谱实验的定标曲线的方法。通过引入这种处理方式，提高了数据处理的科学性和严谨性，同时能更深刻地理解了氢原子光谱实验中的实验现象。

简介：提出利用入射角、偏向角及折射率的函数关系,以多个非近零变化率点测量及其最小二乘法的非线性拟合得到较小不确定度的系列谱线的折射率,进而获得较高精度的色散特性关系。克服以最小偏向角方法测定时临界位置主观随机影响大的局限性。从而实现基于法拉弟磁光效应的电子荷质比的高精度测量。

简介：通过不同波长的光源照射葡萄糖水溶液,观察到旋光现象,并测出了不同波长所对应的旋光度,从而计算出它们的旋光率.通过分析测量数据得,在一定温度下葡萄糖溶液旋光率与波长具有对应的函数关系,证实了旋光率与照射光源波长倒数的平方成正比.

简介：在分光计相关实验的基础上,借助汞灯和钠灯光源实践了光谱定标和波长测量等基本光谱分析方法,并通过进一步研究棱镜的色散曲线确定了实验所用棱镜的制作材料。

简介：在已经报道的可溶性金团簇的合成方法中，Brust于1995年提出的合成方法是最成功的方法之一。该方法是将氯金酸还原，所得金纳米粒子可在反应体系中原位“自组装”上一个单层的保护层，即用有机分子对纳米粒子进行修饰，最终得到可在适当溶剂中良好分散的单层保护团簇MPC。用类似的方法可以制备银、铜及某些合金的MPC。

简介：薄膜厚度的测量是薄膜科学的重要分支之一，本文讨论用迈克尔逊干涉仪观察白光等厚彩色干涉条纹方法，从而确定薄膜的厚度和折射率，该方法的优点是测量精度高，原理简单，在一次测量过程中可同时确定薄膜的厚度和折射率。

简介：目的：探索1T-MoS2（多型结构的二硫化钼）的除汞机制。方法：1.采用密度泛函理论（DFT）分析Hg~0在1T-MoS_2单层上的吸附机理。2.考察1T-MoS_2的不同吸附位置。3.对不同的吸附构型,研究电子吸附前后的变化,从而进一步了解吸附过程。结论：1.化学吸附是Hg原子与1T-MoS_2单层吸附的主导因素。同时,在所有可能的吸附位置中,T_（Mo）（在钼原子上方）的位置是最强烈的吸附构型。2.汞（Hg）原子在1T-MoS_2单层上的吸附受邻近的硫（S）和钼（Mo）原子的影响。3.吸附的汞（Hg）原子在1T-MoS_2的Tmo位置上会被氧化,其吸附能为-1.091eV。4.从局部态密度（PDOS）分析来看,Hg原子和1T-MoS_2表面之间的相互作用是由汞（Hg）原子的d轨道与硫（S）原子的s轨道及钼（Mo）原子的p轨道和d轨道重叠所致。