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  • 简介:重庆局召开“第一期年轻干部赴企业交流锻炼总结交流会”,这标志着局首批年轻监管干部赴基层企业交流锻炼工作告一段落。

  • 标签: 年轻干部 基层企业 交流会 锻炼 重庆
  • 简介:11月4日,重庆市通信管理局顺利通过市级文明单位创建工作考评验收。由市文明办、市直机关党工委和渝中区文明办联合组成的考评验收组通过听取汇报、观看创建工作电视专题片、召开座谈会、查看创建资料、考察创建环境后认为,重庆市通信管理局在市级文明单位创建工作中,领导重视,机构健全,资料齐全、规范,工作扎实,成果显著,符合重庆市级文明单位的标准。考评验收组将按照程序报重庆市文

  • 标签: 市级 重庆市通信管理局 文明单位 创建工作 考评 发展
  • 简介:文章对带有外观检验功能的TO-252晶体全自动测试/打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推机构,以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题;同时,在生产流程中引入外观检验工位,对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验,很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明,该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点,客户使用后反映良好。

  • 标签: TO-252 管条对管条 测试 打标 外观检
  • 简介:意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

  • 标签: MOSFET管 微型封装 功率密度 汽车系统 散热 双面
  • 简介:按照工信部关于向民间资本开放宽带接入网市场的通告精神.我局积极推进宽带接入网开放试点,并于7月1日向首批三家民营企业发放了试点批文,使我市成为西部率先开展宽带接入网开放试点的省市。

  • 标签: 宽带接入网 专题会议 重庆 民间资本 民营企业
  • 简介:<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

  • 标签: 应用材料公司 RFPVD 纳米晶体 器件性能 技术节点 铂合金
  • 简介:6月4日,欧盟官方公报(OJ)发布RoHS2.0(修订指令(EU)2015/863,正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中,至此附录II共有十项强制控物质。

  • 标签: 物质 ROHS 管控 指令 修订 欧盟
  • 简介:<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

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  • 简介:TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体产品。TriQuint的氮化镓晶体可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W(CW)射频输出功率。

  • 标签: 功率晶体管 氮化镓 放大器 尺寸 半导体公司 输出功率
  • 简介:Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS(LowVoltageDifferentialSignals)激光二极驱动器系列。

  • 标签: 激光二极管驱动器 Atmel公司 DVD 新器件 速度
  • 简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极,该二极采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极的开启电压,较肖特基二极的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极小近50倍。

  • 标签: 超势垒二极管 槽栅 开启电压 泄漏电流
  • 简介:<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

  • 标签: 雪崩光电二极管 光子计数 量子效率 紫外区 航天中心 紫外发光
  • 简介:前端系统智能化管理平命的建设是建立在各个子系统的基础之上的,通过总系统的集中控制操作系统平台,宴现对传输信号源系统、机房电源临测系统、IPh网流趟智能化控制系统、机房环境监测系统等高效临测和控制。

  • 标签: 前端系统 可管 可控 智能化
  • 简介:为了解我市各电信企业区县分公司发展现状,按照管局监管重心下沉到区县的工作思路,督促企业落实好2014年电信行业纠风工作各项部署,近日局局领导谢红华带队前往长寿开展纠风和实名制工作专题调研。

  • 标签: 专题调研 实名制 长寿 重庆 电信企业 电信行业
  • 简介:<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半

  • 标签: 柔性显示器 新型半导体 AMOLED 韩联社 中央大学 电荷迁移
  • 简介:通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

  • 标签: 功放电路 静态电流 电源电压 基区结深 厄利电压
  • 简介:2月17日,重庆市通信管理局组织召开了2012年网络与信息安全工作会。局信息安全管理处、市场监管处、办公室以及国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心技术保障处的相关负责同志,三家基础电信企业分管领导和相关部门负责人,我市IDC、ISP企业负责人及工作人员等共70余人参加了会议。重庆市通信管理局党组成员、国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心谢红华主任在会上做了重要讲话。

  • 标签: 国家计算机网络应急技术处理协调中心 信息安全工作 重庆市 企业负责人 信息安全管理 市场监管