与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,InGaN基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,InGaN/GaNMQWs为有源层结构和InGaN体基结构光电二极管都表现出暗电流较大,外量子效率较低,探测带边接近紫外范围等缺点。虽然通过器件工艺和结构设计,可以提升器件的性能,但是InGaN材料外延技术方面的突破才是器件提升性能的根本。
广东开放大学学报
2018年3期
