简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：在现代比较先进的Bipolar技术中，一般采用多晶发射极结构，这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性，因此，这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的，多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后，简单介绍我们工艺开发的第一批结果。

简介：<正>支撑性新材料、优势领域新材料以及新兴领域新材料将获重点支持新材料产业作为战略性新兴产业之一,是加快转变经济发展方式、实现科学发展的"新势力"。国家以及深圳市政府出台的一系列新材料产业发展规划和政策支持文件无异于给行业发展打了"强心剂"。剑指1500亿深圳市新材料产业近年来蓬勃发展,或将成为深圳创新经济发展新的增长极。"十一五"期间,深圳市新材料产业快速发展,优势特色突出,规模不断扩大。2010年新材料产业规模约590亿元,约占全市工业总产值的3.2%,新材料企业研发经费支出超过25亿元,约占

简介：温度检测是芯片和系统中经常需要的功能,温度检测电路的应用非常广泛。文章详细分析了与温度成正比（PTAT）电压的产生原理,并以此原理为基础设计了一种基于双极工艺的温度检测电路,电路的设计输出电压与温度成正比。通过使用CadenceSpectre仿真工具对电路的功能进行仿真,结果表明该电路在-40℃~120℃内能正常工作,输出的检测电压与温度呈比较精确的正比关系,偏差仅为0.01V。

简介：一个互信、自信、开放的东亚信息产业有能力成为世界未来经济增长的“第三极”。

简介：<正>美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司在开发SiC功率电子新产品方面迈出了一大步,实验演示了一种1cm~2SiC二极管芯片。他们所制作的这种4H—SiC肖特基二极管的阻塞电压为300V,正向电流高至300A。该二极管芯片是用4H—SiC制

简介：论文主要介绍一种用于DC／DC电源芯片内部LDO电路，电路采用双极工艺设计，主要为芯片内部提供稳定电压，同时也可以向外部输出。首先论述了线性稳压电源的基本原理，以此为基础对系统设计进行整体考虑，构建了系统整体架构，并制定了电路的设计指标。然后，利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论，根据系统稳定性原理，采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠。最后，借助CadenceSpectre仿真软件完成仿真验证。实验结果表明，该系统在正常工作时，能得到9V和6V两种稳定的输出电压。

简介：<正>东兴证券近日发布研究报告,对新版《机动车强制报废标准规定》的出台给予点评,并就其为报废汽车拆解行业及循环经济产业带来的发展机遇进行分析。报告表示,在此次《规定》出台之前,我国并没有系统化、完整化的机动车报废标准。前期国内机动车报废基本依赖于1997年经贸委修订颁布的《汽车报废标准》,后续根据国内机动车报废的实际情况于1998年、2000年对报废标准进行修改,加上针对农用车和摩托车的相关标准构成了我国机动车报废的政策体系。没有统一的报废规定,而且在较长时间内没有对相关政策内容进行修订,成为我国初动车报废严重滞后的主要原因之一。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出37颗用于汽车的新款高压晶闸管和二极管。这些VishaySemiconductors公司的器件通过AEC—Q101认证，重复性电压从600V到1600V，电流范围宽，有3种封装可供选择。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,