简介:<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong(TriQuintSemiconductor,USA)//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连(3MI)0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2(2.8×2.2mm),32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达
简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
简介:IC切筋技术作为电子封装产业的一项分支技术,在IC产业近年来迅猛膨胀的推动下,得到了飞速发展。针对IC切筋系统多维高性能运动控制的关键技术问题开展了相关研究。介绍了IC切筋运动平台广义并联方式的机械结构和模型,这为控制系统设计提供了很大的帮助。重点介绍了基于PLC技术的电机控制的系统定位、原点搜索和速度控制。视觉自动对准系统由光学照明系统、光学成像系统、CCD摄像器件、图像处理软件和运动控制系统等部分组成,实现图像自动采集,自动定位的目的;最后介绍了LCD图形显示界面。检验报告表明系统运行全自动、切筋速度达到150冲次/min、切筋误差小于0.05mm,该设计控制灵活有效。
简介:文章针对集成电路产品的封装长期可靠性,期可靠性的考评,按照国际标准的要求进行了分析。了研究和总结,并且针对实际产品进行了案例分析。用条件下长期使用的稳定性,有一定的应用价值。