简介:摘要随着国内外电力电子技术的快速发展,如今已步入电子科技时代,电力电子器件在社会中的各个行业都得到广泛的应用,并且渗透到各个领域,在各个领域中都发挥着重要的作用。电力电子器件是电力电子技术的基础部分,同时也是电力电子技术发展的重要条件,电力电子器件的发展是推动和促进电力电子技术发展的重要动力,因此研究电力电子器件的应用和发展状况具有十分重要的意义,本文简要论述电力电子器件的发展过程,探讨普及使用电力电子器件具备的工作原理、应用领域、优势缺点,探究电力电子器件的应用前景并针对其发展方向探讨有效的建议。
简介:摘要半导体器件在测试结壳热阻之前都要先确定其K系数,一般选择器件内部二极管的正向压降作为温度敏感参数(TSP)。现行有效的测试标准中,只是规定正向压降测试电流IM必须足够大,以保证PN结导通,但不能大到足以引起明显自热,这对实际的操作选择很困难。本文通过MOSFET和肖特基二极管作为研究对象,在不同的IM下测试K曲线进行分析,得出便于操作的方法。
简介:摘要对国际上公认的两种半导体器件结壳热阻测试方法美军标MIL-STD-750F和JEDEC标准进行对比测试研究。通过双极性晶体管和MOSFET两种不同类型的器件,用Phase12进行实测,得到了不同方法下的热阻值与曲线。分析了两种测试方法原理及测试结果的差异,科研生产提供参考。