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32 个结果
  • 简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 同步辐射X射线形貌术 缺陷 铁电畴 砷酸钛氧钾 激光材料
  • 简介:红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究,在近完整晶体内近中心的(001)和(010)结晶学平面观察到生长带,生长方向平行于(100)和(010)。在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

  • 标签: 金刚石 晶体缺陷 形貌 结构缺陷 同步辐射 红外吸收光谱
  • 简介:首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

  • 标签: Cr:KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体
  • 简介:LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

  • 标签: LiNdP4O12晶体 生长缺陷 同步辐射X射线白光形貌术 助熔剂籽晶旋转法缺陷 包裹物 位错
  • 简介:采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

  • 标签: 钛硅复合氧化物材料 XAFS 二氧化钛 径向分布函数 近边曲线 X射线
  • 简介:LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向的极性有关。

  • 标签: GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM
  • 简介:应用扩展X射线精细结构(EXAFS)技术研究了化学改性MnO2中锰及铋的结构形态。结果表明:掺杂元素铋进入MnO2的晶格,增大MnO2的不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中,铋的氧化态保持稳定,MnO2没有发生结构重排。

  • 标签: 二氧化锰 掺杂 改性 EXAFS MNO2
  • 简介:高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al2O3/Si外延生长,单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ-Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是(100)γ-Al2O3//Si,[010]γ-Al2O3//[010]Si。

  • 标签: 异质外延 氧化铝 X射线 测试 半导体
  • 简介:本文考察了正硅酸乙酯(TEOS)在碱性催化条件下通过水解和缩聚而制得的二氧化硅胶体的小角X射线散射(SAXS)特征,通过散射数据对Porod负偏离的分析和校正,测定了胶体粒子的几何结构,包括胶团尺度分布、胶核尺度分布及平均界面层厚度,这有助于认识胶体的物理化学特征。

  • 标签: SAXS 二氧化硅胶体 粒子结构 正硅酸乙酯 TEOS 水解
  • 简介:测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱,发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子(K^+,Li^+)注入电量的增加而增加,说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。

  • 标签: 三氧化钨薄膜 电致变色 EXAFS 微结构
  • 简介:利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异的原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物薄膜 电子结构 XPS BATIO3 La1-xSnxMnO3 外延生长
  • 简介:采用微乳液法制备了表面包覆表面活性剂AOT的氢氧化镍纳米微粒,退火后得到纳米尺寸的氧化镍颗粒。用EXAFS方法对获得的氢氧化镍和氧化镍纳米颗粒进行了研究,得到了EXAFS结构参数,并分别与体相材料进行了比较。结果表明与体相材料相比,纳米材料配位结构表现出不同的特性。

  • 标签: 表面活性剂 EXAFS 纳米氢氧化镍 纳米氧化镍 微乳液法 化学修饰
  • 简介:运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰的旁埃斑。

  • 标签: 偏硼酸钡 α-BaB2O4晶体 缺陷 同步辐射X射线白光 形貌 偏硼酸钡