简介：G3时代．Powerbook系列就在款型方面创造了一次惊喜,它们像苹果的台式机一样“精而少”。G4时代同样秉承了苹果的靓酷风格，早期推的25寸Powerbook．外壳是一层薄钛金属镀膜．人们喜欢称其

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简介：10月18日,杭州士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线的开工典礼在厦门市海沧区隆重举办。2017年12月,士兰微电子与厦门市海沧区人民政府签署了《战略合作框架协议》。士兰微电子公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币,在厦门规划建设两条12英寸90～65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6时兼容先进化合物半导体器件生产线。

简介：８月２５日，为期３天的首届中国“移动电话及网络技术研讨会暨产品演示会”在北京落下帷幕。中兴、科健、海尔、康佳、东方通信、中电无线通信研发中心、中电通信、波导、厦华、厦新、首信、南方高科、联想等共计１２家国内企业以及西门子、摩托罗拉、爱立信、朗讯、三星、阿尔卡特、安捷伦、Ｒ＆Ｓ、英特尔、高通、德州仪器、ＡＤＩ、科胜讯等１０多家国际著名企业纷纷展示了自己最新的产品及技术。与以往展会不同的是，这是国内移动电话制造企业首次集体亮机。国家信息产业部曾规划用两到三年时间实现国产手机的整体突破，即２００１年，国产手机品牌市场占有率将达到２０％；２００３年，力争达到５０％。而摆在眼前的事实是，国产手机的占有率尚不到１０％，短短的几年内，国产手机真的能大行其市？手机毕竟不同于家电，面对外国企业强大的经济实力、多年的品牌积累、高速的产品换代，甚至几近残酷的价格大战，国产手机要想在两三年后实现整体突破，任重道远……国产手机各显神通国产手机已经与洋品牌站在了同一起跑线上，这是每一个观看此次展会者最大的感受。　　以往，国产手机给人的感觉是“粗”、“大”、“笨”。但此次参展的手机无一例外都非常小巧、轻便。且功能、质量也都不亚于同档...

简介：<正>《中国电子报》消息:6月2日,中芯国际首台12英寸晶圆生产设备进厂。此设备将用于中芯国际位于北京的12英寸晶圆制造厂,该厂是在我国建设的首座12英寸晶圆厂,该设备的进厂标志着我国IC制造业开始步入300mm时代。中芯国际12英寸晶圆厂已经拥有英飞凌和尔必达这些国际领先的合作伙伴,并且将在12英寸生产方面继续持谨慎态度,只有在客户需求的情况下,才会增加产能,到2005年底,中芯国际北京四厂的计划产能为45000片/月(以8英寸等值晶圆计算)。

简介：正如我们所看到的，随着中国社会的快述发展，大电力超远距离传输的需求迅速增长，用于高压直流输电工业的品闸管的功率要求也越来越大。为此目的，ABB开发了一种6英寸、8．5kV／4000A的晶闸管，该品闸管具有良好的阻断特性、高dv／dt能力、以及所需的擎住灵敏性。可靠性研究表叫，该品闸管能够很好的经受住80℃温差、5000次的负载循环，并在90℃、1000小时的交流阻断中保持恒定的漏电流。

简介：2008年12月10日，夏普商贸（中国）有限公司在上海嘉汇华美达大酒店召开了“引领发展，再创辉煌的夏普专业显示器新品发布会”．此次巡展夏普携旗下32、42、46、52、65及108英寸专业液晶显示器重磅出击华东市场。众所周知．夏普IDP的产品在行业内享有盛誉，品牌效应已经根深蒂固，在各行业广泛应用的同时，夏普108英寸液晶显示器在国内开始热销供货．诸多产品性能及优势将展示给华东区用户．因此夏普高层领导到会并详细介绍了夏普未来战略规划，产品性能分析、市场策略及开发情况。

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简介：<正>意法半导体、飞利浦和摩托罗拉等公司合作组成的Crolles2联盟日前在法国成立联合研发中心,致力于12英寸晶圆的新一代半导体制造技术。该联合研发中心将在未来的5年中致力于把目前90纳米CMOS工艺提升到32纳米,同时,中心内的一条12英寸晶圆生产线已正式启动。Crolles2联盟是全球几大公司在

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简介：从年初至今半导体上游材料硅晶圆一路调涨价格，反映下游8英寸晶圆代工需求紧俏，世界先进在去年已感受来自指纹识别、MOSFET等客户下单大增，今年上半年又受惠电源管理IC及大尺寸面板驱动IC拉货强劲，已在今年初对部分产品调涨代工报价，进一步拉高电源管理IC及大尺寸面板驱动IC营收比重至48％及30％。

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简介：金属化流程虽然90年代又出现了以环保为号召的各种『直接电镀』（DirectPhdng）法，与成本较低的黑孔倒ackHole）法或影（Shadow）法等。但化钯化铜法仍居质量最稳定之龙头，为其他各种偏方所无法取代。

简介：华润微电子有限公司8英寸晶圆生产线落成暨投产典礼5日在江苏省无锡市新区现场隆重举行，这标志着华润微电子晶圆代工业务迈进新的里程。集团宋林董事长和江苏省委书记梁保华、国资委党委委员李寿生一起启动了8英寸晶圆生产线正式投产按钮。集团领导王帅廷、马国安、陈朗、朱金坤、李福祚参加了仪式。

简介：我国首家12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目试生产阶段取得实质性进展。据悉，该项目封装测试厂试生产阶段月产能40亿颗，预计10月份正式投产，年底月产能将达到180亿颗。作为全球第一家集12英寸芯片及封装测试为一体的功率半导体企业，该项目投资总额10亿美元，分两期建设。一期投资5亿美元，主要建设规模为月产2万片12英寸功率半导体芯片、月产500亿颗功率半导体芯片封装测试.

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简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。