简介：文［１］介绍了立阵式并讨论了立阵式的性质，文［２］介绍了立阵式的Ｌａｐｌａｃｅ定理，本文在文此基础上，讨论了两个立阵式的对应元素之和的立阵式，并建立了它与牛顿二项式定理中，项之间的对应联系和计算形式。

简介：摘要火力发电是我国传统的发电方式，长期以来在国民生产生活中发挥着不可替代的作用。尤其是在现代化的新社会、新经济的发展趋势下，生产管理系统要求更严格，所以现代电力企业想在激烈的市场竞争中发展，就需要不断的提高自身的生产运行方面的管理工作，只有对其进行针对性的分析才能够为现代的电力企业的发展提供良好的条件。

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：飞秒激光器频率梳促成了度量衡领域的许多进步，例如从光原子钟到对太阳系外行星的研究。麻省理工学院的研究人员已确定这些光学脉冲序列可精确到阿秒（as）级。

简介：令C为复数域，G为有限群。由于每个CG-模可以写成不可约CG-模的直和，于是对表示的研究实际转化成了对不可约表示的研究。而群的忠实表示可以比较好地体现原有群的性质，所以，对于给定的群，找出该群所有不可约忠实表示是很有意义的。而对于一般有限群来说，找出其所有不可约忠实表示并不容易。本文我们给出了有限阿贝尔群G的所有不可约忠实表示。

简介：本文介绍应用多媒体创作工具和三维动画设计软件,制作多媒体课件的方法,介绍了课件制作的关键技术.课件内容可用于光学工程、光信息科学技术、电子科学技术类专业高年级学生的实验教学.

简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：摘要近年来随着可持续发展原则的不断发展，我国电力输送产业迅猛发展，电网是电力输送产业中维系整个电能输送的关键因素之一。为使电网发展符合可持续发展要求，需要对其进行技术上的改进，结合信息化网络技术发展，衍生出一种新形势的电网——智能电网，该种电网能够有效控制电能输送，但是在该种电网形式的发展中存在相应的技术问题，为及时调整电网运行效率需要针对这一问题进行相应技术方向上的改进。

简介：研究一类具有变系数的二阶中立型时滞差分方程△τ^2[x（t）-c（t）x（t-τ）]=p（t）x（t-σ），t≥t0〉0的解的振动性，给出了该类方程一切有界解振动的几个充分条件．

简介：本文研究二阶中立型时滞差分方程△^2(xn-cnxn-m)=pnxn-k,n≥no(*)的振动性与非振动性．其中，Cn，pn均为实效，pn≥0，pn≠0，n≥n0，m，k,n0是给定的非负整数，且m≥1，△为向前差分算子，△xn=xn+1-xn,我们证明了t若Cn≥0，则方程(*)总存在一个无界正解，也给出(*)的一切有界解振动的若干充分条件及充分必要条件．

简介：在阿贝成像理论基础上,提出了一种球面波照明方式下的阿贝滤波制作全息光栅方法。该方法所用光学元件较少,光路简单易排,很容易制作出需要的低频光栅。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：摘要广西贵港220kV运通～贵港牵引站线路工程钢管杆组立采用悬浮分解组立钢管杆技术在保障了工程安全的前提下，既节约了工程投资，又缩短了工期，同时起到较好的水土保持效果。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.

简介：研究一类具有连续变量的二阶中立型时滞差分方程△r^2[x（t）-cx（t-τ）=p（t）x（t-σ）的解的振动性，给出了其有界振动的几个充分条件．

简介：本文建立了具有正负系数的一阶中立型时滞微分方程的一个新的振动定理,它推广了文献中的若干结果.

简介：研究了考虑溶剂效应后2,1,3-苯并噻二唑衍生物中S原子被CH2—、O—和NH—取代引起的电子性质和光谱性质的变化,结果表明,与母体分子相比,O—取代引起的最高占据轨道能量(EHOMO)和最低空轨道能量(ELUMO)的变化很小,而CH2—和NH—取代引起的EHOMO和ELUMO的变化较明显,且CH2—和NH—取代后分子EHOMO的变化小于ELUMO的变化.CH2—取代导致最大吸收波长(λabs)和最大发射波长(λem)明显红移,而O—和NH—取代导致λabs和λem明显蓝移;而且取代后分子的吸收和发射光谱的振子强度都增大.

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。