简介:提出了一种亚微米深度的纯位相型玻璃衍射光栅制作工艺,采用光刻制栅方法对要制作的光栅结构进行了分析;用AUTOCAD绘图软件绘制光栅的排列布局以及MATLAB软件对设计出的图案进行衍射图样模拟,在基于数字微镜的光刻机上进行曝光,由涂覆光刻胶的铬玻璃上得到缩微图案;观察了单色激光的夫琅禾费光栅衍射图样,以确定最终的设计图案;用电子束刻蚀方法得到的铬掩膜板进行常规光刻工艺处理,得到纯位相型的衍射光栅,最后通过对衍射光栅的衍射图案的失效性分析确定最佳的光刻工艺。结果表明:利用光刻制栅方法不仅可以在玻璃上制得纯位相型光栅,同样也可以在硅片、金属等其他基底上制得光栅或其他光学重复单元,方法可行,且材料成本不高。
简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。
简介:采用先水热合成(150°C,12h)、后煅烧(1000°C)来实现(Y0.95Eu0.05)2O3亚微米球形和微米板片红色荧光颗粒的形貌可控合成。通过XRD、FT-IR、FE-SEM和PL等检测手段对样品进行分析。结果表明:将尿素与Y+Eu的摩尔比由10增大至40~100,得到的前驱体由碱式碳酸盐亚微米球转变为碳酸盐微米片;经1000°C煅烧所得氧化物能够继承前驱体的形貌特征;板片二维形貌的限制内部晶粒自由生长,使更多的(400)晶面暴露在板片颗粒表面;在250nm紫外光的激发下,荧光颗粒的荧光发射峰位及荧光不对称因子[I(5D0→7F2)/I(5D0→7F1),~11]均与颗粒形貌的相关性不强,但荧光强度呈现明显的形貌依存性;微米板片颗粒的尺寸大,从而其比表面积小,因此具有更高的荧光强度(微米板片在~613nm处的荧光强度为球形颗粒的~1.33倍)。
简介:为了提高TiO2在聚酯切片中的分散性,须对TiO2表面进行处理。研究了SDS,LAS与硬脂酸,ADDP三种表面活性剂体系对TiO2的表面改性效果。接触角,吸油量,糊粘度表征手段的运用,表明三种表面活性剂体系中3%LAS与硬脂酸,3%ADDP有很好的改性效果,对去离子水的接触角分别达到了119°与130°。DSC分析表明,ADDP改性后的TiO2在300℃以下是热稳定的。因此认为ADDP是一种非常理想的聚酯用TiO2改性剂。
简介:如果说人类智慧有一个区域的话,那么,科学向更小的或是更大的长度单位不断扩展,就标志着人类视野的不断开阔。在工业革命以前,大部分人类生产、科研不需要用毫米尺度,"毛估估"的做法说明了那个时代人类对世界认知的粗浅。