简介:摘要:本文探讨了石英砂在半导体行业中的制备工艺与质量控制。首先介绍了石英砂的特性及其在半导体制造中的重要性。随后分析了石英砂的制备工艺,包括原料选取、研磨粒度控制、烧结工艺等方面。针对石英砂制备过程中可能出现的质量问题,提出了相应的质量控制措施,如对原料进行严格筛选、优化烧结工艺参数等。最后,对未来石英砂制备工艺与质量控制方面的发展趋势进行了展望,包括采用先进的生产技术、提高自动化程度等方面的创新。
简介:摘要:晶圆湿法清洗工艺是半导体制造中较为关键的一环,清洗后晶圆表面的洁净度取决于清洗设备的性能。湿法腐蚀清洗设备内部废气的排放对晶圆表面的洁净度、操作人员安全、设备安全及生产环境具有重要的影响。本文基于Fluent有限元数值分析平台,建立了设备内部排风的流体场数值分析模型,对其进行了瞬态流场流动分析;研究了排风区域宽度、排风孔长度、排风孔与槽体顶部高度差等因素对设备内部废气流动状态及槽体上方D点处的风速和风压的影响进行了分析,并优选出了最佳排风结构参数。本文可对全自动湿法腐蚀设备的排风分析提供扎实的理论依据。
简介:摘要:本文探讨了新一代半导体材料在电子信息领域的应用及其面临的挑战。随着科技的进步,新型半导体材料如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)因其优异的性能被广泛应用于高功率和高频率电子设备中。文章分析了这些材料的优势,如高热导率、宽带隙和高击穿电压,以及它们在5G通信、电动汽车和可再生能源系统中的应用。同时,也讨论了在材料制备、成本控制和可靠性方面存在的挑战。
简介:摘要:在航天器、精密电子器件、天文望远镜镜面等高精尖技术领域,工作温度的波动带来的材料热膨胀急剧变化会极大影响精确度和使用寿命。解决这一问题的有效办法是:设计宽温区零/低热膨胀单相化合物。但是,此类化合物比较少,相关物理机制不清晰。因此本文基于框架结构灵活性探索新的宽温区低热膨胀材料,研究其热膨胀机理并表征了其它物理性能。采用固相烧结法制备出单相零/低热膨胀材料Ta2WO8,其在3001000 K的宽温区内表现出零/低热膨胀特性(αl = -1.69×10 K ),并且没有吸水性和相变。Ta2WO8是正交结构,bc平面内TaO7十面体和周围5个TaO6八面体通过共边连接,沿a轴方向氧原子连接2个相同Ta原子形成三维框架结构。温度升高时,Ta3O6八面体与周围多面体形成的菱形隧道具有较大的空间和柔性,氧原子的横向热振动更加明显,带动着Ta3-O9-Ta3键角剧烈收缩从而导致a轴产生负热膨胀,弥补了b轴和c轴的正热膨胀。变压拉曼表明,与Ta-O-Ta键中氧原子平动相关的低频晶格模具有负的格林艾森参数,和氧原子的横向振动共同作用导致了Ta2WO8在3001000 K宽温区的零/低热膨胀。紫外可见漫反射光谱测试和密度泛函理论计算都表明Ta2WO8具有半导体性质。