简介：通过合成镨叶绿素a(Pr-Chla)研究了稀土在叶绿素中的结合方式。Pr-Chla的紫外可见光谱（UV－Vis)、红外光谱（FTIR）证实镨离子已配位到叶绿素a的卟啉环上。其磁圆二色谱（MCD）Soret带具有双层夹心卟啉的特征结构；通过扩展X射线吸收精细结构谱（EXAFS），采用双层夹心结构模型拟合，确定了Pr周围的近邻结构。表明合成镨叶绿素a具有双层夹心结构。Pr(Ⅲ）夹于两个卟啉环之间，与上下卟啉环上共8个N原子配位，Pr-N键平均键长0.242nm。

简介：测量了K3C60单晶薄膜[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。首次观察到K3C60能带色散。通过对能带色散关系的分析，确立了K3C60低温下的一维无序取向结构。

简介：

简介：

简介：

简介：

简介：用同步辐射角分辨紫外光电子谱对CO与Cs在Ru(1010）面上共吸附的研究结果表明：由于Cs的强烈影响，CO的分子轨道重新排列。对应清洁表面上CO分子的（5σ＋1π）轨道的7．5eV谱峰分裂成两个，分别处于6．3和7．8eV，6．3eV谱峰关于一个垂直于Ru(1010)面面平行于＜0001＞晶向的镜像面反对称性。

简介：

简介：采用程序升温氮化的方法制备了钼氮化物催化剂，并用EXAFS方法研究了氮化前后Mo原子的局域配位情况。负载MoO3样品的径向结构函数中有三个峰其中前两个峰对应着最近的Mo-O配位壳层，但是第一个峰与第二个峰的比例比晶体MoO3中的比例大很多，表明分子筛负载的MoO3具有更紧密的结构。氮化以后，Mo2N样品的径向结构函数中有三个峰，对应于一个Mo-N和两个Mo-Mo配位壳层，与面心立方模型符合的很好。根据X射线衍射和EXAFS谱的计算表明，Mo2N中的N原子使Mo-Mo键拉长并削弱。分子筛负载的Mo2N样品具有与非负载Mo2N样品相似的径向结构函数，只是对应于Mo-N壳层的峰较弱，表明负载的MoO3更难氮化。

简介：通过合成镧叶绿素a(La-Chla),研究稀土在叶绿素中的赋存状态。La-Chla的紫外可见光谱（UV－vis)、红外光谱（FT－IR）证实，镧离子已配位到叶绿素a的卟啉环上。其磁圆二色谱（MCD）在Soret带具有双层夹心卟啉结构的特征结构。通过扩展X射线吸收精细结构谱（EXAFS），采用双层夹心结构模型拟合，确定La周围的近邻结构，取得满意结果。表明合成镧叶绿素a具有双层夹心结构，La夹于两个卟啉环之间，与上下卟啉环上共八个N原子配位，La-N平均键长0.261nm。

简介：

简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

简介：利用北京同步辐射小角X光散射实验站，我们对超临界流体的抗溶剂过程中，高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明，在不断加入抗溶剂的过程中，高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。

简介：通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面，考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明，催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在，其化学组成主要为FeOOH，且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

简介：

简介：用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射，基于GBC理论假设，采用相关函数法计算了原位担载于两种烟煤上FeSO4的粒径分布，考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响，计算结果与XRD表征结果相似，FeSO4在两种煤样上的最可几粒径为4nm左右，分布范围为0．5－8nm，助剂对FeSO4粒径分布的影响较小，它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。