简介：军事信息系统集成的首要任务就是解决当前信息系统中由于历史原因形成的＂信息孤岛＂,实现信息和资源的共享,研究了基于SOA的军事信息系统集成的技术,提出了一个基于SOA和元数据技术的军事信息系统综合集成的原型系统。

简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：IP集成是制约SOC技术实现的解SOC系统结构和模块间的通信过程,然后介绍了两种基于SOC的IP集成方法,以及各种接口协议和集成方法在应用中的优缺点.

简介：阐述了信息系统综合集成的理论基础和方法研究的必要性和重要性，支撑信息系统综合集成的若干理论基础和方法，涉及信息系统综合集成的相关问题，提出了加强理论基础和方法研究工作的建议。

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：针对紧凑型信息系统存在系统资源消耗大、软件功能复用性弱、信息交互难度大、信息管理分散以及软件用户界面迥异等问题，基于插件的微内核框架集成实现原理，提出了基于插件的表现集成技术及相关模型。通过关键技术研究，解决了紧凑型信息系统中多应用以及多维信息的统一展现及信息共享问题。场景应用案例表明，该表现集成技术有效。

简介：

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：通过对离网型太阳能光伏供电系统的组成分析,结合通信网络的要求,讨论了通信用太阳能供电系统的设计,对太阳能光伏供电系统的使用条件和经济性进行分析。展望了太阳能的应用,从节能减排的角度,提出了完善太阳能供电系统在通信网络中应用的思路。

简介：DEK的ProFlow封闭式印刷头技术，在经过一段成功的测试期后，因其杰出的表现能满足复杂的大规模生产要求，为一家知名的电子解决方案公司所采用。

简介：

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：2010年上半年中国集成电路产业运行概况2010年上半年中国集成电路产量为302.5亿块,同比大幅增长了49.4%。行业实现销售收入666.03亿元,与2009年上半年458.99亿元销售额相比,增长了45.1%。上半年的高增长主要得益于国内外市场的快速增长,以及去年上半年行业低谷的低基数效应。整体来看,今年上半年产业销售额不仅已恢复到2008年上半年的规模(2008年上半年产业销售额为640.25亿元),更在此基础上实现了一定的增长。

简介：用好数据链涉及诸多方面，其中数据链集成应用是基础。阐述了数据链集成应用的内涵，介绍了外军战术数据链装备发展和应用情况。在此基础上，提出了一种数据链集成应用体系结构和实现方法，为我军数据链应用提供了借鉴作用。

简介：中国国内集成电路产值只能满足市场需求的近20％！目前中国集成电路（IC）产业已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局，出现了长江三角洲、珠江三角洲和环渤海地区三个相对集中的产业区域，建立了多个国家集成电路产业化基地。芯片制造的工艺技术水平已进入国际主流领域，设计和封装技术接近国际水平。但是在全球集成电路产业中，中国仍然处于比较弱小的地位，落后于美国、欧洲。

简介：<正>我国第一个当代制造技术最高水平(12英寸、0.13微米)的超大规模集成电路生产线中芯国际北京项目于2002年9月29日正式启动。该项目总投资12.5亿美元,目前正在进行主体厂房和水、电、气等所有辅助设施建设,其中两个大型厂房和特种气体厂房于2003年年底封顶。2004年初开始设备安装,2004年6月开始试生产。

简介：中国集成电路产业发展现状2003年中国集成电路产业仍然呈现高速增长的势头,全年国内集成电路总产量达到131.4亿块,首次突破100亿块,同比增幅为39.3%.全行业共实现销售收入351.4亿元(折合为42.34亿美元),同比增幅为30.9%.全行业近三年发展状况见表1.

简介：

简介：明确给出了定向能非致命武器的概念，主要阐明了激光定向能非致命武器和微波定向能非致命武器的破坏机理。同时概括、总结了两类武器的国内外发展现状及发展趋势，以及定向能非致命武器的应用范围。最后对定向能非致命武器的结构及关键技术作了说明。

简介：摘要：为了满足应用界面重构和用户主题定制需求，介绍了面向视图的界面软件开发集成技术。基于视图概念分析、数据库视图比较和插件集成方法研究，并结合跨平台开发和编译的语言Qt，说明了面向视图的软件集成开发关键步骤，及其视图集成框架和插件为核心的技术实现途径。该技术可有效应对复杂的需求变化，具有推广价值。