简介:针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.
简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.
简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
简介:功和能是两个密切相关的概念,它们又与系统这一概念有密切的联系。在功和能的教学中,常常忽视功和能的系统性,使学生在解决功和能的问题时不习惯于先确定系统,影响了对有关问题的正确理解。