简介：2004年第二季度中国集成电路市场规模达688．5亿元，同比增长率高达45．6％，远高于上季度的市场增长率，但计算机类市场份额在连续几个季度快速上升之后首次出现小幅下降。

简介：偏振模色散（PMD）已经成为高速光纤通信系统发展的严重障碍。我们将粒子群优化（ParticleSwarmOptimization—PSO）算法作为偏振模色散自适应补偿中的反馈控制算法，对光链路中的PMD信号进行收索跟踪，并控制偏振控制器（PolarizationController—PC），成功的实现了对二阶PMD的自适应补偿。实验结果表明，粒子群优化算法能够避免陷入局部极值而快速的搜索全局最佳值，同时它还具有很强的抗链路噪声的能力，补偿效果良好。

简介：国内服务器市场在2004年第二季度继续稳定增长,市场价值达到5亿美元,比上季度增长了66%,比去年同期增长了6.2%,这表明,国内服务器市场仍处于稳定发展阶段.国内服务器市场在2004年第二季度继续稳定增长,市场价值达到5亿美元,比上季度增长了6.6%,比去年同期增长了6.2%.IA32服务器市场价值环比上升了4.3%,同比增长5.8%,达到2.19亿美元;出货量环比增加11.7%,同比增长24.4%,达到8.46万台.RISC服务器市场价值环比增长6.1%,同比增长1.4%,达到2.32亿美元;出货量环比上升3.9%,同比增长4.3%,达到5092台.IA64服务器继续出现同比成倍增长的态势,但市场总体仍然不大.

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：摘要培训班交流群是现在培训过程中必不可少的项目之一，交流群在培训班运行期间发挥了重大的作用，但随着培训班的结束，交流群的活跃程度急速下降。培训组织者尝试用各种方法来激活培训班结束后的交流群，并利用交流群达到培训效果的最大化。

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：

简介：高端电视市场2004年第二季度分析同比增长128%,联合促销盛行2004年第二季度,越来越多的彩电生产企业涉足高端电视领域,并纷纷加大研发力度,新产品和新技术层出不穷;高端电视生产企业借"五一"和家电连锁店开业或店庆之际,加大产品促销力度,促销形式丰富多样;加之非彩电生产厂商的介入使得中国高端电视市场第二季度表现活跃,竞争加剧.

简介：据新华社信息北京2003年7月3日讯据海外媒体报道,台湾金属工业研究发展金属中心开发出高密度二氧化碳精密洗净系统,以满足3C、光电、精密机械等产业对精密洗净制程的需求,并解决制品使用有机溶剂(如CFC、HCFC等)所造成的

简介：基于Lee-Low-Pines（LLP）的幺正变换，本文采用Pekar变分法得到的基态能量和波函数及其在电场的二维量子点中强耦合极化子的第一激发态，从而构建一个双极化子的量子比特。数值结果表明时间的振荡周期T0对量子比特的减小两电子概率密度随电场强度和介质的介电常数比η；在量子比特的两电子的概率密度q呈现周期性的振荡随时间t；出现的电子在量子点中心的概率较大，而出现了由量子点中心要小得多。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：在综述微波功率AlGaN/GaNHFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。

简介：

简介：　　摘 要：采编工作是图书馆文献资源建设与发展的核心内容和基础性工作，为适应新形势下图书馆文献资源建设的发展趋势，采编工作需要创新。需要针对当前采编工作中存在的问题，采取加强采编人员自身假设，通过采编外包解决工作量激增问题，保证藏书质量，建立资源整合机构等，对策，更好地适应采编工作的发展趋势。

简介：霍尼韦尔国际（HoneuwellInternational）公司总部位于美国新泽西州莫里斯镇，目前在超过100个国家和地区中有12万名员工，旗下拥有自动化、航空航天、交通系统、特殊材料四大子集团，2007年销售额达345亿美元，位列财富100强。公司股票在纽约、伦敦和芝加哥股票交易所上市交易，是构成道琼斯工业指数的30支股票之一，也是标准普尔500强指数的股票之一。

简介：

简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。

简介：<正>市面上能买到的LED灯,虽然耗电量仅为白炽灯的6%,使用寿命长达5万小时以上,但动辄数十倍的售价,使LED灯无法走入百姓家。南京理工大学近日传出消息,该校取得新型二维半导体研究进展,有望制造出新型材料,大大降低LED灯生产成本,该研究成果已经在线发表在化学与材料等学科顶尖期刊

简介：国家经济贸易委员会1999年12月30日公布第16号令:《淘汰落后生产能力、工艺和产品的目录》(第二批)已经国务院批准,现予发布,自2000年1月1日起施行。