简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
简介:本文将综合论证指出:广义洛伦兹磁力具有普适性,它能全面解释电磁感应的物理过程;无论是静态场,或是时变场,都是洛伦兹磁场力的作用结果.①电波反射是广义洛伦兹磁力的应用,②广义洛伦兹磁力使线圈产生“反电动势”,③接收天线上的信号形成是广义洛伦兹磁力的作用结果,④磁力线静止而导体转动情况的经典洛伦兹磁力的应用,⑤导体静止而磁铁携带磁力线转动情况是广义洛仑兹磁力的应用,⑥磁发电机是广义洛伦滋磁力的应用,⑦变压器的变压原理是广义洛伦滋磁力的应用⑧铁芯中形成涡电流是广义洛伦滋磁力的应用.故,“磁生电”的真实原因是:金属电子在广义洛伦兹磁力的作用下的流动而形成Ic,却不是法拉第-麦克斯韦-爱因斯坦他们在自由空间里虚构的位移电流Ia.或,基于唯物主义自然观,联系电磁感应的物质是洛伦兹的金属电子,却不是法拉第-麦克斯韦-爱因斯坦他们的真空以太.