简介：特克斯特伦海洋及陆地系统公司有望获得一项价值5600万美元的生产95辆装甲防暴车(ASV)的合同,该项合同极有可能将订货扩大到190辆。该公司于1995年12月与美国陆军签署了一项价值320万美元的合同

简介：摘要 目的：观察中药治疗胃溃疡的临床疗效 方法：150例按照中医辨证分型采用中药进行治疗。结果：150例经15天—45天的治疗，痊愈105例，显效21例，好转16例，无效8例。总有效率94.66%。对照组：采用内服西药的方法治疗。150例，经过15天--45天的治疗。结论：中药治疗胃溃疡疗效可靠。方法可行、简便，在临床上值得推广，是一种治疗胃溃疡较好的方法。

简介：Si_3N_4-Si_2N_2Ocomposites被液相sintering(LPS)与非结晶的缩放nano的氮化矽粉末制作。Si_2N_2O阶段被in-situreaction2Si_3N_4(s)+1.5O_2(g)=3Si_2N_2O+N_2(g)产生直到在体积的60percent的Si_2N_2O阶段的内容在1650t的sintering温度被获得并且当sintering温度增加了或减少时，减少了，显示反应是可逆的。集体损失，相对密度和平均谷物尺寸与增加sintering温度增加了。当sintering温度在1700degC下面时，Theaverage谷物尺寸是不到500nm。Thesintering过程包含复杂结晶化和阶段转变：非结晶的氮化矽->equiaxialalpha-Si_3N_4->equiaxial->Si_3N_4->杆--相似Si_2N_2O->像针的beta-Si_3N_4。小回合--塑造的beta-Si_3N_4粒子在Si_2N_2O谷物被骗诱，界定差错的高密度位于在1650degC的sintering温度的Si_2N_2O谷物的中间。坚韧在1600degCto7.2MPa从3.5Mpa中心点m~(1/2)增加了在1800degC的中心点m~(1/2)。坚硬在1600degC象21.5GPa(Vickers)一样高。

简介：采用光学显微镜和场发射扫描电镜,研究超声波对原位Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si形态的影响。研究结果表明:超声波处理使初生Mg2Si的晶粒尺寸从150μm降低到20μm,初生Mg2Si形态发生改变。在二维形貌中,未实施超声波振动处理的初生Mg2Si晶粒生长为含有空腔的粗大颗粒,共晶组织生长于其中,相应的三维形态为含有漏斗状空腔的八面体和十四面体。超声波处理后的初生Mg2Si晶粒变成细小、实心三维形态的颗粒,颗粒棱角已发生钝化效应。

简介：阶段形成，居里温度，和NaZn_(13)类型LaFe_(11.7)Si_(1.3)的磁性的熵变化上的碳的影响被调查。七carbon-containingalloys，有x=的LaFe_(11.7)Si_(1.3)C_x分别地，0，0.03，0.06，0.10，0.20，0.30，和0.50为这调查作好准备。试验性的结果证明在LaFe_(11.7)Si_(1.3)的碳的小数量的增加为NaZn_(13)类型结构ofLaFe_(11.7)的形成是有利的Si_(1.3)C_x。晶格常数与C增加增加，因为C同样空隙的原子的介绍，x在合金增加。当x从0～0.5增加，居里温度ofLaFe_(11.7)Si_(1.3)C_x从194K增加到225K。因为他们的一阶的结构/磁性的转变，大磁性的熵变化在这些包含碳的合金LaFe_(11.7)Si_(1.3)C_x被观察。27.5J·kg~的最大的磁性的熵变化(在为0-1.56T磁场变化的202K的-1)·K~(-1)与x=在合金被观察0.06。相应于LaFe_(11.7)的材料的变化，和低成本Si_(1.3)C_x使它成为的低磁场的大磁性熵的变化在对应温度范围要用作磁性的refrigerants的一个有希望的候选人。

简介：

简介：Usinganewlow-temperatureprocess(＜600℃),thepoly-SiTFTwasfabricatedbymetal-inducedlateralcrystallization(MILC).Anultrathinaluminumlayerwasdepositedona-Sifilmandselectivelyformedbyphotolithography.Thefilmswerethenannealedat560℃toobtainlaterallycrystallizedpoly-Sifilm,whichisusedasthechannelareaofaTFT.Thepoly-SiTFTshowedanon/offcurrentratioofhigherthan1×106atadrainvoltageof5V.TheelectricalpropertiesaremuchbetterthanTFTfabricatedbyconventionalcrystallizationat600℃.

简介：Thetheoreticalexpressionoftherelationshipbetweenoptimumdopingcontentandcrystalstructureispresentedaswellasthepreparationmethods.Byusingthisexpression,theoptimumdopingcontentofsilicon-dopedboroncarbidethinfilmiscalculated.Thequantitativecalculationvalueisconsistentwiththeexperimentalresults.Thistheoreticalexpressionisalsoappropriatetoresolvetheoptimumdopingcontentforotherelectricmaterials.

简介：Defectsofpolymer-derivedSi-C-OfiberswereintensivelystudiedbytheSEMandTEMtechniquesandtheiroriginationswerealsodiscussedonthebasisoffactorsexperiments.Thedefectswerefoundmainlyintheformofstrumaes,pitsandsplitsonsurfacesaswellasmicroflawnetworks,porosityclustersandinclusionsinthebulk.Factorsexperimentsrevealthatanonuniformoraninsufficientcuringwouldresultinlarger-sizedstru-maesorinteriormicroflaws.Gasevolutionratesduetodifferentfiringrateshaveagreatinfluenceontheformationofinternalmicrofiawsorporosityclustersandsomeoxidation-inducedpitsorsplitsmaybeformedonsurfacesbe-causeoratraceofoxygenorwatervaporaccumulatedfromtheflowinginertatmosphereduringpyrolysis.

简介：SiC/Si<潜水艇class=“a-plus-plus”>3N<潜水艇class=“a-plus-plus”>4合成是用自我繁殖的高温度的燃烧合成-Si3N<潜水艇class=“a-plus-plus”>4粉末和适当数量原文如此搽粉。两个都，sintering添加剂，系统被使用，它是YAN(Y2O3艾尔2O3AlN)并且YN(Y2O3AlN)。影响在SiC/Si的sintering行为上原文如此满意<潜水艇class=“a-plus-plus”>3N<潜水艇class=“a-plus-plus”>4合成被调查。结果证明有二个sintering添加剂系统的样品的密度，收缩，弯曲力量，坚硬，和破裂坚韧随内容的增加增加第一原文如此然后甚至当原文如此内容不断地增加时，减少。样品的重量损失的趋势是相反的。有最好的机械性质的样品原文如此满意在二个系统是不同的。为YAN系统，当原文如此内容到达10时，样品的最好的机械性质被获得?%，当至于YN系统它是5时?%。YN样品的性质比YAN样品优异。J阶段(2Y2O3吠敨爠畯整漠?灡汰楹杮氠睯瀠敲獳牵?景???慐漠?桴?獡搭獩牰灯牯楴湯瑡摥朠敲湥挠浯慰瑣搠牵湩?桴?敤潳灲楴湯爠'啼礃A慮楴湯瀠潲散獳椠?楳畴栠瑯搠晥牯慭楴湯椠??灳牡?汰獡慭猠湩整楲杮?偓?猠獹整?慣?扯慴湩挠浯汰瑥汥?敲潣扭湩摥丠??洠条敮?楷桴朠潯?湡獩瑯潲祰愠摮洠条敮楴?牰灯牥楴獥?桔?慭楸畭?慭湧瑥捩瀠潲数瑲敩??????汣獡?愢瀭畬?汰獵?慭?猯'T?????鮪徬鞪??极脿???醰鑛??鴿鎘銳????�

简介：设计一种由C8051F930单片机和无线收发芯片Si4432组成的无线射频收发系统;介绍了系统结构、硬件设计原理,以及无线接收/发送程序流程;并给出了进行PCB设计时的注意事项。实验表明,该系统具有尺寸小、成本低、功耗低的特点,能以较高质量在1300～1500m范围内进行信号的无线传输。

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：Anovelread-onlysuper-resolutionopticaldiscstructure(substrate/masklayer/dielectriclayer)ispropsedinthispaper.ByusingaSithinfilmasthemasklayer,therecordingpitswithadiameter380nmandadepth50nmarereadoutonthedynamicmeasuringequipment;thelaserwavelengthλis632.8nmandthenumericalapertureis0.40.IntheoftheSithinfilmis18nmandthesignal-to-noiseratiois32dB.

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简介：Ｂｉｎａｒｙ　Ｒｅａｃｔｉｏｎ　Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｏｆ　２８Ｓｉ＋２４Ｍｇ　ａｔ　１５６．３　ＭｅＶＢｉｎａｒｙＲｅａｃｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆ２８Ｓｉ＋２４Ｍｇａｔ１５６．３ＭｅＶ￥ＷａｎｇＳｈｕｆａｎｇ；ＪｉｎＧｅｎｍ...

简介：High-strengthsteelshavebeenwidelyappliedtoautomotivechassisparts.Inordertoformcomplexshapes,highholeexpansionratesandhighformabilityarerequired.Dualphase(DP)steelhasagoodformability,butapoorholeexpansionrate.Inthiscircumstance,anotherkindofsteelwhichhasamicrostructureofferrite-bainite,ratherthanferrite-martensite,hasbeenfoundtobeanalternativesolution.ItiscalledFBsteel.ThissteelwithSi,CandMnadditionsareappliedinthisstudy.Atwo-stepcooling...

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简介：Si3N4/TiCnanocompositeceramicshavebeenfabricatedbyhotpressingtechniquewithAl2O3andY2O3asadditives.TheresultsshowedthatwelldispersedcompositepowderwascarriedoutbyaddingdispersantandadjustingpHvaluesofsuspensions.RemarkableincreaseinflexuralstrengthatroomtemperatureswasobtainedbyaddingnanoparticlesinSi3N4matrixwith10%(wtpct)ofnano-Si3N4and15%ofnano-TiC.Theflexuralstrength,fracturetoughnessandhardnesswere1025MPa,7.5MPa·1/2and15.6GPa,respectively.Themicrostructuresofmaterialswereanalyzedbyscanningelectronmicroscopy(SEM)andtransmissionelectronmicroscopy(TEM),whichindicatedthatTiCnanoparticlesdistributeinthematrixandatthegrainboundaries.Accordingtothefractureform,lowcontentsofnanoparticlescouldrefinematrixgrainsandleadtothecrackdeflectionaswellascrackpinning.Themultiplexmicrostructurewasformedbymixingnano-Si3N4particles.Thecracktrajectoriesexhibitedcrackdeflection,rod-likegrainbridgingandpull-out.