简介:针对64D型单线继电半自动闭塞故障处理中电路结构复杂容易混淆、外线种类多导致误判,电源种类多影响判断等存在问题,提出了分部判断处理、根据阻值快速判断区分、分类式判断电源故障等对策措施。
简介:现代社会的技术进步主要通过企业的研发行为实现,但是R&D溢出效应会对企业的研发决策造成影响。本文使用永续盘存法对我国工业企业的溢出效应进行了度量,在此基础上,本文使用中国工业企业数据库中2006年和2007年的企业数据,检验了R&D溢出效应对于我国工业企业研发决策的影响以及补贴收入和溢出效应之间的联动关系。检验结果显示:当R&D溢出效应较小时,其对于企业研发投入具有正向的促进作用,但是在R&D溢出效应达到一定程度之后,其对于企业研发投入的抑制作用会逐渐显现出来;一定规拱的补贴收入可降低溢出效应的边际作用,从而帮助企业克服溢出效应的负面影响,促进企业的研发投入。
简介:采用固相法制备La2O3与Sb2O3掺杂的钛酸锶钡陶瓷,研究其介电性能及相变特性。通过X射线衍射法分析体系微观结构并利用扫描电镜观察其表面微观形貌。(La,Sb)共掺杂的钛酸锶钡陶瓷具有典型的钙钛矿结构,且随着Sb2O3掺杂量的增多其平均粒径显著减小。La3+离子以及Sb3+离子均占据钙钛矿晶格的A位。La2O3与Sb2O3添加量的改变显著影响钛酸锶钡基陶瓷的介电常数以及介电损耗。La2O3改性的钛酸锶钡陶瓷其四方-立方相变为二级相变,且居里温度随着La2O3掺杂量的增多向低温方向移动。(La,Sb)共掺杂的钛酸锶钡陶瓷则体现为弥散相变,随着Sb2O3含量的增大而偏离居里-外斯定律越显著。由于Sb3+离子对晶格原位离子的取代使得(La,Sb)共掺杂的钛酸锶钡陶瓷的介电常数最大值下的温度亦随着Sb2O3含量的增大而降低。