简介:摘要:LED封装在近年来得到了广泛的应用,其主要原理就是使LED芯片的电极连接外引线,以方便电极与其他器件相连接。LED封装利用导线实现了芯片与外部电路的连接,其中发挥最大作用的就是导线,能够将新建上的电极连接到封装外壳上。同时还能够固定芯片,并将芯片密封起来,以切实保护芯片电路不受水的侵蚀,不受空气等物质的腐蚀,从而造成电气性能的下降。除此之外,对LED进行封装可以全方面提高LED芯片的出光效率,大大提高LED封装产能,从而为下游产业的应用安装和运输提供方便。可以说,对于LED来说,封装技术能够使LED的性能更加良好,从而发挥坚实的可靠性。本文主要针对LED封装技术,荧光粉在LED封装中的实际应用进行针对性的介绍。
简介:摘 要:功率半导体器件是电力电子控制的核心,是我国急需发展与攻关的核心领域之一,国产功率器件具有极大的市场发展空间。以SiC为代表的第三代半导体功率半导体器件,突破了Si功率半导体的功率上限,它具备更高的耐热性、更宽的禁带宽度、更大的击穿电场、更小的导通电阻,在大功率密度应用中将会有更大市场空间。随着第三代半导体功率器件的发展,对于分立器件而言既是一个突破功率上限机会,也是对封测散热设计的重要挑战。通过分析SiC芯片的TO-247封装的热学仿真结果,设计出2款有助于提升散热效果的封装新结构,再结合电、热、结构应力仿真软件辅助分析,比对传统结构及新结构的TO-247封装的功率器件,在相同边界条件下的分析其流场、温度场的变化,确定散热结构的有效性。
简介:文中采用传统的表面贴装技术进行焊接,研讨μBGA的PCB装配及可靠性。弯曲循环试验(1000με~-1000με),用不同的热因数(Qη)回流,研究μBGA、PBGA和CBGA封装的焊点疲劳失效问题。确定液相线上时间,测定温度,μBGA封装的疲劳寿命首先增大,接着随加热因数的增加而下降。当Qη接近500s·℃时,出现寿命最大值。最佳Qη范围在300s·℃~750s·℃之间,此范围如果装配是在氮气氛中回流,μBGA封装的寿命大于4500个循环。采用扫描电子显微镜(SEM),来检查μBGA和PBGA封装在所有加热因数状况下焊点的失效。每个断裂接近并平行于PCB焊盘,在μBGA封装中裂纹总是出现在焊接点与PCB焊盘连接的尖角点,接着在Ni3Sn4金属间化合物(IMC)层和焊料之间延伸。CBGA封装可靠性试验中,失效为剥离现象,发生于陶瓷基体和金属化焊盘之间的界面处。