简介：对某一大功率发光二极管（LED）器件的封装结构进行等效热阻网络分析，并利用Hotherm软件对该LED进行热分析，比较了采用纯银、纯铜、纯铝等不同材料作为热沉对LED器件的散热性能的影响，结果表明采用纯银热沉散热效果最好。

简介：大功率LED在户外夜景灯光照明中,已成为照明产品的主流。COB光源生产成本相对较低,散热功能明显,并且具有高封装密度和高出光密度的特性。本文对基于COB封装的贴片式LED元件进行工艺研究,提出改良方案。

简介：摘要：近年来，我国的集成电路不断增加，在集成电路中，封装设备的应用十分广泛。集成电路封装焊中的焊球承载力差会导致其极易损坏,为避免这一问题,文中提出集成电路封装焊中的焊球强度自动评估方法。该方法首先分析了集成电路封装焊中的焊球节点刚度的影响因素,为后续焊球强度评估奠定了基础;然后根据分析结果,进一步计算焊球在轴力及弯矩作用下的节点承载力,依据计算结果采用有限元分析方法评估焊球节点强度,实现焊球强度自动评估,最后利用试验证明所提方法的先进性。试验结果表明,通过对该方法开展极限承载力对比测试、破坏载荷对比测试,验证了该方法的可靠性、有效性。本文就集成电路封装设备的运程运维系统设计进行研究，以供参考。

简介：摘要：随着我国进入信息时代，推动了中国电子信息技术的发展，而电子信息技术之所以能广泛地应用于人们日常的生活中离不开集成电路技术。与此同时，中国工业能可持续发展的重要保障之一也是集成电路技术。将阐述集成电路技术的在我国的现状和其产业的发展趋势，并同时分析我国集成电路技术将面对的挑战以及对应的措施，希望有助于推动我国对于集成电路技术的发展。

简介：摘要：本文对高频电子器件及其封装技术的研究与创新进行了探讨。介绍了高频电子器件在通信、雷达、无线电频谱等领域中的重要性和应用需求。，阐述了目前高频电子器件所面临的挑战，重点讨论了高频电子器件封装技术的发展和创新，然而，目前的研究还存在一些局限性。因此，我们需要进一步的研究和创新，以解决这些问题，并开拓高频电子器件封装技术的新思路。

简介：随着电子芯片向着高密度、高频率和小体积化方向发展，IC封装的结构尺寸及其互连线系统在信号完整性、损耗等多方面影响着整个电路系统的可靠性。因此，对IC封装及其互连线电特性的分析显得尤为重要。文章以四列直插芯片封装外壳模型为设计实例，利用AnsoftQ3D软件提取了该封装模型的寄生电阻、电容和电感（RCL），并结合Multisim软件对封装互连线上的信号完整性进行了简单的Ⅱ端口等效电路分析。从中认识到，随着频率的升高，由于寄生参数特别是寄生电感的存在，IC信号的性能会随之降低。IC封装设计者应使用协同设计的方法和理念，在有效提高封装电特性的同时降低封装成本及研发周期。

简介：介绍了刚-挠结合型印制电路板封装技术的原理、做法和在空间技术中应用的重要意义。

简介：摘要当前，我国微电子封装材料行业，绝大邠的封装材料都是环氧塑封，因为这种材料特有的成本低，工艺简单，适合量化等优点的存在，所以在各种半导体器件和集成电路中都有极其广泛的使用，这也就意味着环氧塑封材料出现在了汽车，军事，建筑等等各个领域，目前，环氧塑封材料正在迎来其空前的发展机遇，但是，由于其当前的技术水平还不能够完全满足封装的要求，所以也是在面对着极大的挑战，如何抓住机遇，迎接挑战是环氧塑封需要解决的一大问题。

简介：为了解决埋头弹火炮发射过程中活动药室与炮身结合处的气体泄漏问题，设计了一种带有梯形槽的闭气环结构，为了验证其闭气效果，利用FLUENT软件对带有梯形槽的闭气环结构和无槽闭气环结构进行流场仿真计算，将在两种结构下获得的压力云图、速度矢量以及进出口质量流率的结果进行对比分析。得出梯形槽闭气环结构能有效地降低气体泄漏速率，从而减少气体泄漏量，因此该结构具有更好的闭气效果。研究结果为今后埋头弹火炮活动药室的密封问题的研究提供了一种设计方法和理论指导。

简介：

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：本文针对ENEPIG(化镍钯浸金)技术应用于封装基板表面处理,在化镍钯浸金工艺过程中,通过对镍层上化学镀钯控制、浸金控制,获得精确的沉积厚度和金层均匀性,达到良好的接触面。并就浸金过程中的渗金问题进行优化控制,达到焊区小间距的需求。通过对ENEPIG表面处理焊区和电镀镍金表面处理焊区的WireBonding(引线键合)能力、可焊性、抗老化能力进行试验比较,验证了本ENEPIG控制技术同时具有优于电镀镍金的引线键合可靠性和锡焊可靠性。本ENEPIG控制技术所获得优异可靠性的表面处理,并且满足无铅组装工艺所有需求,非常适用于封装基板的表面处理制造。

简介：

简介：分析和总结了发动机主轴密封装置的设计、加工工艺及试验。结果表明：主轴密封设计合理，能满足发动机总体对主轴密封装置的设计要求。

简介：用粒度为63μm和14μm的SiC粉末为原料,在注射温度和注射压力分别为160℃和70MPa、粉末装载量（体积分数）为63%的条件下,获得SiCp注射坯,经过溶剂脱脂和真空热脱脂以及1100℃/7h的真空预烧结后,在1000℃、N2气氛下进行Al合金熔渗,制备高体积分数63%SiCp/Al复合材料电子封装壳体。研究表明,熔渗组织均匀、致密,SiC颗粒均匀分布在Al基体中。熔渗时需要严格控制熔渗时间,熔渗时间超过10min后会导致坯体被Al合金熔体过度熔渗,从而在复合材料表面产生Al合金层,时间越长,Al层厚度逐渐增加。最终制得的高体积分数63%SiCp/Al复合材料封装壳体的尺寸精度优于0.3%,其热物理性能优异,热膨胀系数和热导率分别为7.2×10-6K-1和180W/m·K,密度为3.00g/cm3,能够满足电子封装材料性能的要求。

简介：ShellCase公司的圆片级封装技术工艺，采用商用半导体圆片加工设备，把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装（WL—CSP）工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露，并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上，并进行回流焊，圆片分离形成封装器件成品。WL—CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装（CSP），其测量厚度为300μm-700μm，这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。

简介：集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要，向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发展的方向之一。本文阐述了金属基体、增强体及其体积分数、制备工艺对复合材料热性能的影响。

简介：本文介绍了用于高速光电组件的表面安装型焊球阵列(BGA)封装技术.

简介：LED以其优良的性能结合智能控制系统,被越来越多地应用于室内外照明场合,但同时也对其色温、显色指数等色度指标提出了新的要求。为了应对这种挑战,设计了一种新型的色温可调LED,利用大功率LED芯片结合金属基板封装出了色温可调的暖白光高显色指数LED样品,对其发光光谱、色温和显色指数随电流的变化进行了测试,发现LED的光谱有三个峰值,色温可从5000K变化到3300K,涵盖了冷色光到暖色光的范围,显色指数可从68增加到90以上,能够满足室内照明的要求。将这种色温可调的LED应用于筒灯,测试了其发光效果和散热性能,表明LED具有发光面均匀、无眩光,热阻小等特点,特别适合用于筒灯等室内照明场合。

简介：泰科电子宣布其防静电(ESD)保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD(SESD)器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%,能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠